Les modules SDRAM DDR4 haute vitesse utilisent des composants SDRAM DDR4 dotés de deux ou quatre groupes de banques mémoire internes. Les modules SDRAM DDR4 qui utilisent des composants SDRAM DDR4 de largeur 4 et 8 bits possèdent quatre groupes de banques internes comprenant chacun quatre banques mémoire, soit un total de 16 banques. Les composants SDRAM DDR4 de largeur 16 bits possèdent deux groupes de banques internes comprenant chacun quatre banques mémoire, soit un total de huit banques. Les modules SDRAM DDR4 bénéficient de l’architecture de prélecture 8n de la SDRAM DDR4, avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d’horloge sur les broches d’E/S. Une seule opération de LECTURE ou d’ÉCRITURE pour la SDRAM DDR4 consiste effectivement en un transfert de données unique de 8n bits sur quatre cycles d’horloge au niveau du cœur DRAM interne, ainsi qu’en huit transferts de données correspondants de n bits sur un demi-cycle d’horloge au niveau des broches d’E/S. Les modules DDR4 utilisent deux ensembles de signaux différentiels : DQS_t et DQS_c pour capturer les données, ainsi que CK_t et CK_cto pour capturer les commandes, les adresses et les signaux de contrôle. Les horloges différentielles et les stroboscopes de données garantissent une immunité exceptionnelle au bruit pour ces signaux et fournissent des points de croisement précis pour capturer les signaux d’entrée.