Les modules SDRAM DDR4 haute vitesse utilisent des composants SDRAM DDR4 dotés de deux ou quatre groupes internes de banques mémoire. Les modules SDRAM DDR4 utilisant des composants SDRAM DDR4 d’une largeur de 4 ou 8 bits possèdent quatre groupes internes de banques, chacun composé de quatre banques mémoire, soit un total de 16 banques. Les composants SDRAM DDR4 d’une largeur de 16 bits possèdent deux groupes internes de banques, chacun composé de quatre banques mémoire, soit un total de huit banques. Les modules SDRAM DDR4 bénéficient de l’utilisation, par la SDRAM DDR4, d’une architecture de prélecture 8n avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d’horloge sur les broches d’E/S. Une seule opération de LECTURE ou d’ÉCRITURE de la SDRAM DDR4 consiste effectivement en un transfert de données unique sur quatre cycles, d’une largeur de 8n bits, au niveau du cœur DRAM interne, ainsi qu’en huit transferts correspondants de données d’une largeur de n bits, chacun d’une durée d’un demi-cycle d’horloge, au niveau des broches d’E/S. Les modules DDR4 utilisent deux ensembles de signaux différentiels : DQS_t et DQS_c pour capturer les données, et CK_t et CK_cto pour capturer les commandes, les adresses et les signaux de contrôle. Les horloges différentielles et les stroboscopes de données assurent une immunité exceptionnelle au bruit pour ces signaux et fournissent des points de franchissement précis pour capturer les signaux d’entrée.