Les modules DDR4 SDRAM à haute vitesse utilisent des dispositifs DDR4 SDRAM avec deux ou quatre groupes internes de banques de mémoire. Les modules DDR4 SDRAM utilisant des dispositifs DDR4 SDRAM larges de 4 et 8 bits ont quatre groupes internes de banques composés chacun de quatre banques de mémoire, fournissant un total de 16 banques. Les dispositifs DDR4 SDRAM larges de 16 bits ont deux groupes internes de banques composés chacun de quatre banques de mémoire, fournissant un total de huit banques. Les modules DDR4 SDRAM bénéficient de l'utilisation par le DDR4 SDRAM d'une architecture 8n-prefetch avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge aux broches d'E/S. Une seule opération de LECTURE ou d'ÉCRITURE pour le DDR4 SDRAM consiste effectivement en un transfert de données interne au cœur DRAM large de 8n bits sur quatre cycles d'horloge et huit transferts de données correspondants larges de n bits sur un demi-cycle d'horloge aux broches d'E/S. Les modules DDR4 utilisent deux ensembles de signaux différentiels : DQS_t et DQS_c pour capturer les données, et CK_t et CK_c pour capturer les commandes, adresses et signaux de contrôle. Les horloges différentielles et les signaux de stroboscopie de données assurent une immunité exceptionnelle au bruit pour ces signaux et fournissent des points de croisement précis pour capturer les signaux d'entrée.